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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [7]
作者
范亚明 [1]
张兴旺 [1]
文献类型
专利 [3]
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [3]
语种
中文 [3]
英语 [2]
出处
DIAMOND AN... [1]
Journal of... [1]
四川大学学报. 自然... [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qian, Lei
;
Yang, Jihua
;
Zhou, Renjia
;
Tang, Aiwei
;
Zheng, Ying
;
Tseng, Teng-Kuan
;
Bera, Debasis
;
Xue, Jiangeng
;
Holloway, Paul. H.
;
Xue, J.(jxue@mse.ufl.edu)
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提交时间:2012/06/14
立方氮化硼薄膜的原位Si 掺杂研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
应杰
Adobe PDF(1555Kb)
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浏览/下载:1012/50
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提交时间:2010/06/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1344/332
  |  
提交时间:2010/12/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈燕
;
邓爱红
;
赵有文
;
张英杰
;
余鑫祥
;
喻菁
;
龙娟娟
;
周宇璐
;
张丽然
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浏览/下载:1107/297
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提交时间:2011/08/16
一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
应杰
;
张兴旺
;
范亚明
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浏览/下载:1419/218
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提交时间:2011/08/31
一种PiNiN结构晶闸管激光器
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:
王火雷
;
丁颖
;
王宝军
;
边静
;
王圩
;
潘教青
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浏览/下载:818/102
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提交时间:2014/11/05
分布反馈式激光器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:
王火雷
;
米俊萍
;
于红艳
;
丁颖
;
王宝军
;
边静
;
王圩
;
潘教青
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浏览/下载:899/95
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提交时间:2014/11/05