×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体材料科... [19]
作者
杨涛 [5]
杨晓光 [4]
王科范 [2]
曹玉莲 [1]
文献类型
专利 [15]
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [4]
语种
中文 [5]
英语 [4]
出处
CHINESE PH... [2]
JOURNAL OF... [1]
SEMICONDUC... [1]
资助项目
收录类别
SCI [4]
资助机构
Chinese Ac... [3]
Chinese Ac... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共19条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:中科院半导体材料科学重点实验室
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang XG
;
Yang T
;
Wang KF
;
Ji HM
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Wang ZG
;
Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1135Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1323/386
  |  
提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang XG
;
Yang T
;
Wang KF
;
Gu YX
;
Ji HM
;
Xu PF
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Wang XD
;
Chen YL
;
Wang ZG
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(541Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1153/352
  |  
提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu PF
;
Yang T
;
Ji HM
;
Cao YL
;
Gu YX
;
Wang ZG
;
Xu, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(614Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1353/408
  |  
提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gu YX
;
Yang T
;
Ji HM
;
Xu PF
;
Wang ZG
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(2081Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1491/281
  |  
提交时间:2011/07/05
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(257Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1504/248
  |  
提交时间:2012/09/09
在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208756A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
汪明
;
杨涛
Adobe PDF(275Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1484/234
  |  
提交时间:2012/09/09
锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
杨晓光
;
杨涛
Adobe PDF(313Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1320/211
  |  
提交时间:2012/09/09
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(249Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1551/267
  |  
提交时间:2011/08/31
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
杨涛
;
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
季祥海
;
王占国
Adobe PDF(878Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:737/4
  |  
提交时间:2016/09/12
生长InP基InAs量子阱的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
Adobe PDF(434Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:955/102
  |  
提交时间:2014/10/24