×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体照明研发... [8]
作者
文献类型
专利 [5]
学位论文 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [2]
语种
出处
Applied Op... [1]
资助项目
收录类别
SCI [1]
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
专题:中科院半导体照明研发中心
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
专题:中国科学院半导体研究所
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
无权访问的条目
学位论文
作者:
张硕
Adobe PDF(4307Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:372/17
  |  
提交时间:2017/06/05
Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
张硕
Adobe PDF(3543Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:976/197
  |  
提交时间:2016/06/12
Aln
溅射法
Si(100)衬底
氧污染
椭偏测量
无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. L. HU
;
L. B. SUN
;
BEIBEI ZENG
;
L. S. WANG
;
Z. G. YU
;
S. A. BAI
;
S. M. YANG
;
L. X. ZHAO
;
Q. LI
;
M. QIU
;
R. Z. TAI
;
H. J. FECHT
;
J. Z. JIANG
;
D. X. ZHANG
Adobe PDF(823Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:463/3
  |  
提交时间:2017/03/16
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:
张硕
;
段瑞飞
;
何志
;
魏同波
;
张勇辉
;
伊晓燕
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(389Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:760/4
  |  
提交时间:2016/09/02
一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
安平博
;
张硕
;
赵丽霞
;
段瑞飞
;
路红喜
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(489Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:584/5
  |  
提交时间:2016/09/12
一种氮化物外延装置及方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
张硕
;
段瑞飞
;
曾一平
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(340Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:658/4
  |  
提交时间:2016/09/28
Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
刘波亭
;
马平
;
郭仕宽
;
甄爱功
;
张烁
;
吴冬雪
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(333Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:871/10
  |  
提交时间:2016/09/22
具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
张烁
;
马平
;
郭仕宽
;
刘波亭
;
李晋闽
;
王军喜
Adobe PDF(424Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:598/6
  |  
提交时间:2016/09/22