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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体超晶格国家重点... [8]
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专利 [4]
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2012 [1]
2011 [1]
2010 [2]
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英语 [4]
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan, F
;
He, JF
;
Shang, XJ
;
Li, MF
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:939/317
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
;
He, JF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, hejifang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1015/276
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YC (Zhang Yu-Chi)
;
Li YA (Li Yuan)
;
Guo YQ (Guo Yan-Qiang)
;
Li G (Li Gang)
;
Wang JM (Wang Jun-Min)
;
Zhang TC (Zhang Tian-Cai)
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浏览/下载:1041/290
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提交时间:2010/09/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Meng XQ
;
Peng HW
;
Gai YQ
;
Li
;
J
;
Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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浏览/下载:1385/507
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提交时间:2010/04/05
在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
;
尚向军
;
倪海桥
;
王海莉
;
李密峰
;
朱岩
;
王莉娟
;
喻颖
;
贺正宏
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1594/245
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提交时间:2012/08/29
基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:
倪海桥
;
丁颖
;
徐应强
;
李密锋
;
喻颖
;
査国伟
;
徐建新
;
牛智川
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浏览/下载:906/86
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提交时间:2014/11/17
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
邢军亮
;
张宇
;
王国伟
;
王娟
;
王丽娟
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:958/73
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提交时间:2014/11/24
一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
张立春
;
王国伟
;
张宇
;
徐应强
;
倪海桥
;
牛智川
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浏览/下载:639/13
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提交时间:2016/09/28