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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨辉;  张书明;  王良臣
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大规模光电集成RCE探测器面阵器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  邓晖;  梁琨
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制作立体神经微电极的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  裴为华;  赵辉;  王宇;  陈三元;  汤戎昱;  陈远方;  陈弘达
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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可编程门列阵中嵌入式可重构存储器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224990.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张会;  陈陵都;  于芳
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