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| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1221/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1331/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1238/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1264/128  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于波长转换的半导体光学放大器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张瑞英; 王圩; 简永生 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1044/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇 Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/113  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 纳米半导体技术 专著 北京:化学工业出版社, 2006 作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲 JPEG(7Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:4514/1018  |  提交时间:2009/09/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/335  |  提交时间:2010/04/11 |