中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共35条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
微波光子晶体共面波导在高速光电子器件封装中的应用 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伞海生;  黄亨沛;  刘宇;  祝宁华
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1316/217  |  提交时间：2009/06/11
磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄秀颀;  刘峰奇
Adobe PDF(590Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1109/149  |  提交时间：2009/06/11
多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  车晓玲;  刘峰奇;  黄秀颀;  雷文;  刘俊岐;  路秀真
Adobe PDF(737Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1382/190  |  提交时间：2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1161/166  |  提交时间：2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1430/204  |  提交时间：2009/06/11
一种增益钳制的半导体光放大器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄永箴
Adobe PDF(553Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：776/99  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma RM (Ma R. M.);  Dai L (Dai L.);  Huo HB (Huo H. B.);  Yang WQ (Yang W. Q.);  Qin GG (Qin G. G.);  Tan PH (Tan P. H.);  Huang CH (Huang C. H.);  Zheng J (Zheng J.);  Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lundai@pku.edu.cn
Adobe PDF(276Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1373/522  |  提交时间：2010/04/11
InP基应变补偿量子线阵列及其织构纳米衍射光栅研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  黄秀颀
Adobe PDF(3557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：879/23  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H (Wang H.);  Huang Y (Huang Y.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Wang LL (Wang L. L.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(210Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1130/320  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Y (Huang Y.);  Wang H (Wang H.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Li DY (Li D. Y.);  Zhang JC (Zhang J. C.);  Wang JF (Wang J. F.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1095/315  |  提交时间：2010/04/11