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采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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实现对称结构硅基二氧化硅应力光波导偏振不灵敏的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Xia JL;  Gao DS;  Wu YD;  Li JG;  Wang HJ;  Hu XW;  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. 电子邮箱地址: junming@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(220Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1061/259  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YY;  Li YT;  Xia JS;  Liu JW;  Chen SW;  Yu JZ;  Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chyy@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu JZ;  Chen SW;  Xia JS;  Wang ZT;  Fan ZC;  Li YP;  Liu JW;  Yang D;  Chen YY;  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS;  Xia JB;  Hirose K;  Li, SS, CCAST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(78Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：802/246  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JL;  Wu YD;  Gao DS;  An JM;  Li J;  Hu XW;  Xia, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Jlxia@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J;  An JM;  Xia JL;  Wang HJ;  Hu XW;  Li J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lijian@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/295  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS;  Xia JB;  Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：809/299  |  提交时间：2010/03/17