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半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮;  董杰
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选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  陈娓兮;  朱洪亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ;  Zeng YP;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Lin LY;  Jiang CP;  Guo SL;  Chu JH;  Cui LJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Lab,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王荣;  周宏余;  司戈丽;  姚淑德;  张新辉;  郭增良;  翟佐绪;  王勇刚;  朱升云
Adobe PDF(220Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：867/298  |  提交时间：2010/11/23