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| 一种氮化物半导体器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖 Adobe PDF(613Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1167/152  |  提交时间:2009/06/11 |
| Ⅲ族氮化物材料及GaAs基太阳能电池的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001 作者: 袁海荣 Adobe PDF(9387Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:889/41  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Han PD; Yuan HR; Wang D; Wang ZG; He ST; Li HL; Yan L; Chen XY; Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1337/414  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yuan HR; Lu DC; Liu XL; Chen Z; Wang XH; Wang D; Han PD; Yuan HR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:970/327  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Xiang XB; Du WH; Chang XL; Yuan HR; Xiang XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:974/335  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王晓晖; 刘祥林; 陆大成; 袁海荣; 韩培德; 汪度 Adobe PDF(185Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:950/335  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 袁海荣; 向贤碧; 陈庭金; 陆大成 Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/308  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:852/309  |  提交时间:2010/11/23 |