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| High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers 会议论文
IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者: Xiu ZT; Zhang JM; Ma XY; Yang GW; Shen GD; Chen LH; Xiu ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Sqw Lasers Ingaasp Power Fiber Nm |
| Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes 会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者: Wang GH; Ma XY; Zhang YF; Wang ST; Li YZ; Chen LH; Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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Native Oxided Alas Current Blocking Layer Algainp High Brightness Light Emitting Diodes |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang B; Fang W; Wang DJ; Luan F; Xu SF; Qian Y; Zhu X; Ma XY; Zhang B,Peking Univ,Dept Phys,Beijing 100871,Peoples R China.
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| High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者: Chen LH; Xu ZT; Ma XY; Zhang JM; Yang GW; Xu JY; Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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High Power Al-free Laser Communication Epitaxy |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen LH; Xu ZT; Ma XY; Zhang JM; Yang GW; Xu JY; Chen LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 谭满清; 刘宗顺; 刘素平; 胡长虹; 鲁琳; 李秀芳; 王梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang W(张伟) ; Pan Z(潘钟); Li LH(李联合); Wang XY(王学宇); Lin YW(林耀望)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu ZT(徐遵图); Yang GW(杨国文); Zhang JM(张敬明); Ma XY(马骁宇); Xu JY(徐俊英); Shen GD(沈光地); Chen LH(陈良惠)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐遵图; 张敬明; 马骁宇; 刘素平; 刘忠顺; 方高瞻; 肖建伟; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li LH(李联合); Pan Z(潘钟); Zhang W(张伟); Lin YW(林耀望); Wang XY(王学宇); Wu RH(吴荣汉)
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