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无权访问的条目 期刊论文
作者:  FENG YP;  TEO KL;  LI MF;  POON HC;  ONG CK;  XIA JB;  FENG YP NATL UNIV SINGAPOREDEPT PHYSSINGAPORE 0511SINGAPORE
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溶液、SI3N4/SiO2 硅系统中界面电荷及其对ISFET的阈值电压偏移的影响的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1993
作者:  李夏
Adobe PDF(1353Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：770/8  |  提交时间：2009/04/13