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锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  黄文奇
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四族合金半导体  能带调控  第一性原理  
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李晓静
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