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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
GaAs基量子阱结构中的自旋极化输运研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  朱来攀
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chao Liu;  Xingguo Gao;  Dongyan Tao;  Junxi Wang;  Yiping Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xingguo Gao;  Chao Liu;  Dongyan Tao;  Yiping Zeng
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：259/1  |  提交时间：2016/04/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yuan Li;  Yu Liu;  Laipan Zhu;  Xudong Qin;  Qing Wu;  Wei Huang;  Zhichuan Niu;  Wei Xiang;  Hongyue Hao;  Yonghai Chen
Adobe PDF(1205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：443/5  |  提交时间：2016/03/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jun Yin;  Yang Li;  Shengchang Chen;  Changqing Chen;  Jing Li;  Junyong Kang;  Wei Li;  Peng Jin;  Yonghai Chen;  Zhihao Wu;  Jiangnan Dai;  Yanyan Fang
Adobe PDF(4068Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：266/1  |  提交时间：2016/03/29