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具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HW;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng HJ;  Lu J;  Yan S;  Tan PH;  Zhao JH;  Meng HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, H;  Duan, Y;  Shi, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlshi@semi.ac.cn
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Si 共掺杂和高温退火对(Ga,Mn)As 结构和磁性质的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  王玮竹
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘晓东;  王玮竹;  高瑞鑫;  赵建华;  文锦辉;  林位株;  赖天树
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