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制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  戴瑞烜;  陈诺夫;  彭长涛;  王鹏
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多孔硅基MnSb铁磁性薄膜和Y2O3:Eu的制备及性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  戴瑞烜
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注Mn InAs/GaAs 量子点光电磁性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  胡良均
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半金属zb-CrAs 和稀磁半导体(Ga,Cr)As 薄膜分子束外延生长和磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  毕京锋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵建华;  邓加军;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨春雷;  王建农;  葛惟锟;  崔利杰;  曾一平
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