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在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘力锋;  陈诺夫;  尹志岗;  杨霏;  柴春林
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磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈晨龙;  陈诺夫;  吴金良
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中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:  王占国;  陈立泉;  屠海令
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(Ga,Mn)As 和闪锌矿结构CrSb 的分子束外延生长制备和磁性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  邓加军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang M (Yang Mou);  Li SS (Li Shu-Shen);  Li, SS, CCAST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: sslee@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Wang Y;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Zhang X;  Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu LF;  Chen NF;  Wang Y;  Zhang X;  Yin ZG;  Yang F;  Chai CL;  Liu, LF, Peking Univ, Inst Microelect, Novel Devices Grp, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lfliu@ime.pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  邓加军;  蒋春萍;  刘海林;  丁琨;  赵建华;  李国华
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