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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang FQ;  Chen NF;  Liu XG;  Liu ZK;  Yang SY;  Cha CL;  Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于广华;  李明华;  朱逢吾;  柴春林;  姜宏伟;  赖武彦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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