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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
江德生 [4]
段瑞飞 [1]
张加勇 [1]
张艳华 [1]
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会议论文 [12]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [2]
2000 [3]
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语种
英语 [12]
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1997 IEEE ... [1]
2006 INTER... [1]
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JOURNAL OF... [1]
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收录类别:CPCI\-S
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:
Ma, XY
;
Zhong, L
;
Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:3304/1103
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提交时间:2010/03/09
Laser Diodes
Laser Bar
Stacks
High Power
Power Conversion Efficiency
Reliability
Packaging
An ambient proof and wide tuning range LC VCO with automatic amplitude control for tuner applications
会议论文
2006 INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATIONS CIRCUITS AND SYSTEMS PROCEEDINGS VOLS 丛书标题: International Conference on Communications, Circuits and Systems, Guilin, PEOPLES R CHINA, JUN 25-28, 2006
作者:
Yan, J (Yan, Jun)
;
Ma, DS (Ma, Desheng)
;
Mao, W (Mao, Wei)
;
Gu, M (Gu, Ming)
;
Shi, Y (Shi, Yin)
;
Dai, FF (Dai, Fa Foster)
;
Yan, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Mixed Signal & High Speed Circuit Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1564/264
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提交时间:2010/03/29
Conversion
Oscillators
Noise
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1630/405
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yang L
;
Liu YL
;
Wang QM
;
Shi HZ
;
Li GH
;
Zhang LD
;
Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1280/257
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提交时间:2010/11/15
Ag/sio2 Nanocomposite Film
Plasmon Resonance Absorption
Mie Theory
Surface Resonance State
Quantum Size Effect
Image-potential States
Optical-properties
Surfaces
Lifetimes
Particles
Electron
Ag
Optimization of InGaAs quantum dots for optoelectronic applications
会议论文
TWENTY SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED AND MILLIMETER WAVES, CONFERENCE DIGEST, SAN DIEGO, CA, SEP 22-26, 2002
作者:
Duan RF
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Zeng YP
;
Duan RF Chinese Acad Sci Novel Mat Dept Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Infrared Photodetectors
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1512/272
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas
Cooperative spontaneous emission of excitons in the semiconductor microcavity
会议论文
VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS IV, 3946, SAN JOSE, CA, JAN 26-28, 2000
作者:
Liu S
;
Lin SM
;
Wang QM
;
Liu S Chinese Academe Inst Semicond Natl Optoelect Integrat Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1199/217
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提交时间:2010/10/29
Spontaneous Emission
Microcavity Anisotropy
Polarized Exciton
Surface-emitting Lasers
Polariton Photoluminescence
Cavity
Operation
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
;
Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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浏览/下载:1212/237
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提交时间:2010/11/15
Inas/gaas Quantum Dots
Self-assembled Structure
Dlts
Pl
Band Offset
Energy-levels
Carrier Relaxation
Spectroscopy
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1154/186
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提交时间:2010/11/15
Electronic-structure
Carrier Relaxation
Energy-levels
Spectroscopy
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH Chinese Acad Sci Lab Excited State Proc Changchun 130021 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Double Multi-quantum Wells
Photocurrent Spectra
Zncdse-znse
Spectroscopy
Photoluminescence
Heterostructures
Photodetectors