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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
半导体集成技术工程... [10]
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文献类型
专利 [8]
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
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中文 [3]
英语 [2]
出处
Journal of... [2]
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专题:半导体集成技术工程研究中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, Yan
;
Wu, Lihua
;
Han, Xiaowei
;
Li, Ming
;
Liu, Guizhai
;
Zhang, Feng
;
Guo, Xufeng
;
Zhao, Kai
;
Stanley, L. Chen
;
Yu, Fang
;
Liu, Zhongli
;
Li, Yan
;
Zhang, Qianli
;
Chen, Liang
;
Zhang, Guoquan
;
Li, Jianzhong
;
Yang, Bo
;
Gao, Jiantou
;
Wang, Jian
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浏览/下载:868/248
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提交时间:2013/05/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han, Xiaowei
;
Wu, Lihua
;
Zhao, Yan
;
Li, Yan
;
Zhang, Qianli
;
Chen, Liang
;
Zhang, Guoquan
;
Li, Jianzhong
;
Yang, Bo
;
Gao, Jiantou
;
Wang, Jian
;
Li, Ming
;
Liu, Guizhai
;
Zhang, Feng
;
Guo, Xufeng
;
Stanley, L. Chen
;
Liu, Zhongli
;
Yu, Fang
;
Zhao, Kai
;
Han, X.(xiaowei@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1089/368
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提交时间:2012/06/14
相变存储器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
马慧莉
;
王晓峰
;
张加勇
;
程凯芳
;
王晓东
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:1623/248
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提交时间:2011/08/31
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:897/86
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提交时间:2014/10/29
与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(767Kb)
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浏览/下载:686/96
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提交时间:2014/10/31
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:876/124
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提交时间:2014/10/31
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:725/66
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提交时间:2014/12/25
应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓峰
;
张加勇
;
王晓东
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:1199/195
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提交时间:2011/08/31
一种纳米尺寸金属插塞电极阵列的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091398.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓峰
;
张加勇
;
王晓东
;
季安
;
杨富华
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浏览/下载:1225/193
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提交时间:2011/08/31
一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
赵永梅
;
何志
;
季安
;
王晓峰
;
黄亚军
;
潘岭峰
;
樊中朝
;
王晓东
;
杨富华
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浏览/下载:684/2
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提交时间:2016/09/12