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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS (Xu Xing-Sheng);  Xiong ZG (Xiong Zhi-Gang);  Jin AZ (Jin Ai-Zi);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Zhang DZ (Zhang Dao-Zhong);  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  熊志刚;  金爱子;  陈弘达;  张道中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王玥;  吴远大;  李建光;  安俊明;  王红杰;  尹小杰;  张家顺;  胡雄伟
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