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| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 一种光纤合束器制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯小明; 方高瞻; 刘媛媛; 王翠鸾; 王晓薇; 马骁宇
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| 光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王勇刚; 马骁宇; 王翠鸾; 林涛; 王俊
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| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 仲莉; 王俊; 冯小明; 王勇刚; 王翠鸾; 韩琳; 崇锋; 刘素平; 马骁宇
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