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半导体薄片材料的横向研磨方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sui XH (Sui Xiao-Hong);  Pei WH (Pei Wei-Hua);  Zhang RX (Zhang Ruo-Xin);  Lu L (Lu Lin);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Sui, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xhsui@mail.semi.ac.cn
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