已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wu K; Zhang YY; Wei TB; Lan D; Sun B; Zheng HY; Lu HX; Chen Y; Wang JX; Luo Y; Li JM Adobe PDF(1608Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:811/140  |  提交时间:2014/04/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang, YY; Xie, HZ; Zheng, HY; Wei, TB; Yang, H; Li, J; Yi, XY; Song, XY; Wang, GH; Li, JM Adobe PDF(3833Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1098/320  |  提交时间:2013/03/17 |
| 半导体激光器热沉 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1722/238  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 宋海明; 韩海; 赵柏秦; 郑一阳 Adobe PDF(824Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:783/235  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zuo YH; Mao RW; Zheng YY; Shi X; Zhao L; Shi WH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM; Zuo, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrat Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhzuo@red.semi.ac.cn; maorongwei@red.semi.ac.cn; yyzheng@asee.buaa.edu.cn; s810311@163.com; leizhao@semi.ac.cn; whshi@red.semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn; jzyu@red.semi.ac.cn; qmwang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(156Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1051/269  |  提交时间:2010/03/17 |
| 一种减小霍尔器件失调电压的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平 Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1190/126  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平 Adobe PDF(181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/136  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑一阳; 韩海; 景士平; 梁平 Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1177/125  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郑一阳 Adobe PDF(168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:597/176  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郑一阳 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:738/328  |  提交时间:2010/11/23 |