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一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  关 敏;  秦大山;  曹峻松;  曹国华;  曾一平;  李晋闽
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一种有机电致发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  关 敏;  秦大山;  曹峻松;  曹国华;  曾一平;  李晋闽 
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有机-无机复合发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-22, 公开日期: 3992
发明人:  曹俊松;  秦大山;  曹国华;  关 敏;  曾一平;  李晋闽 
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一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曹峻松;  秦大山;  曹国华;  曾一平;  李晋闵
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采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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共升华可控掺杂有机薄膜在有机电致发光器件中的应用和研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  曹峻松
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao JS;  Guan M;  Cao GH;  Zeng YP;  Li JM;  Qin DS;  Cao, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn;  qindashan@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao JS;  Guan M;  Cao GH;  Zeng YP;  Li JM;  Qin DS;  Cao, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guanmin@semi.ac.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn;  qindashan@yahoo.com.cn
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