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| 带位置稳定结构的针状神经微电极 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 裴为华; 陈弘达; 朱琳; 张旭; 郭凯; 王淑静; 陈海峰 Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1383/211  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1190/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1243/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1265/128  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1138/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(665Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1215/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生 Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1206/149  |  提交时间:2009/06/11 |