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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  王圩;  刘国利;  张静媛
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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用于折叠插值模数转换器的动态匹配方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李志刚;  石寅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Li JC;  Zhou H;  Wang H;  Wang B;  Yan H;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, GH;  Xiao, XB;  Li, Y;  Yang, M;  Zhou, GH, Hunan Normal Univ, Dept Phys, Changsha 410081, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghzhou@hunnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZS;  Zhu Y;  Li XQ;  Lin TH;  Su ZB;  Ma, ZS, Peking Univ, State Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, XQ;  Zhang, WK;  Cui, P;  Shao, JS;  Ma, ZS;  Yan, YJ;  Li, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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