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| 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 林孟喆; 曹青; 颜庭静; 陈良惠
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| 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088813.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 曹玉莲; 杨涛
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华
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