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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Furui Tan; Makhsud I. Saidaminov; Hairen Tan; James Z. Fan; Yuhang Wang; Shizhong Yue; Xiaotian Wang; Zhitao Shen; Shengjun Li; Junhwan Kim; Yueyue Gao; Gentian Yue; Rong Liu; Ziru Huang; Chen Dong; Xiaodong Hu; Weifeng Zhang; Zhijie Wang; Shengchun Qu; Zhang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王黎; 孙瑜; 赵晓凡; 娄采云; 陆丹 ; 赵玲娟; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.); Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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| 硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
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| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王科范; 杨晓光; 杨涛; 王占国
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| 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
发明人: 王科范; 刘孔; 曲胜春; 王占国
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| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人: 王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国
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