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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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刘超 [3]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Zhu, BL
;
Zhao, XZ
;
Xu, S
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
;
Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Province Ceram, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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提交时间:2010/03/08
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1759/355
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
;
Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Nanomat Ctr, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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浏览/下载:1084/402
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen P
;
Tu XG
;
Li SP
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Yu YD
;
Yu, JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu BL
;
Zhao XZ
;
Su FH
;
Li GH
;
Wu XG
;
Wu J
;
Wu R
;
Liu J
;
Zhu, BL, Wuhan Univ Sci & Technol, Key Lab Hubei Prov Ceram & Refractories, Wuhan 430081, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhubailin97@hotmail.com
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提交时间:2010/03/29
A 1Gb/s silicon photo-receiver in standard CMOS for 850-nm optical communication
会议论文
2007 International Workshop on Electron Devices and Semiconductor Technology, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 03-04, 2007
作者:
Huang BJ (Huang Beiju)
;
Zhang X (Zhang Xu)
;
Liu HJ (Liu Haijun)
;
Liu JB (Liu, Jinbin)
;
Dai XG (Dai Xiaoguang)
;
Zhang Y (Zhang Yu)
;
Chen HD (Chen Hongda)
;
Huang, BJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Complementary Metal-oxide-semiconductor (Cmos)
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, C (Li, Chun)
;
Fang, GJ (Fang, Guojia)
;
Liu, NH (Liu, Nishuang)
;
Li, J (Li, Jun)
;
Liao, L (Liao, Lei)
;
Su, FH (Su, Fuhai)
;
Li, GH (Li, Guohua)
;
Wu, XG (Wu, Xiaoguang)
;
Zhao, XZ (Zhao, Xingzhong)
;
Fang, GJ, Wuhan Univ, Dept Phys, Key Lab Acoust & Photon Mat & Devices Minist Educ, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: gjfang@whu.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘超
;
高兴国
;
李建平
;
曾一平
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
胡小凤
;
黎晓新
;
吴慧娟
;
陈品华
;
曹晓光
;
徐秀兰
;
刘国栋
;
李春安
;
裴为华
;
陈弘达
;
隋晓红
;
刘金彬
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郭继云
;
王守觉
;
刘学刚
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提交时间:2010/11/23