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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo ZS;  Wang HL;  Ning D;  Feng SL;  Guo ZS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superiattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Wang HL;  Feng SL;  Zhu HJ;  Wang XD;  Guo ZS;  Ning D;  Wang H,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures 会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1999, (166), BERLIN, GERMANY, AUG 22-26, 1999
作者:  Wang H;  Wang HL;  Feng SL;  Zhu HJ;  Wang XD;  Guo ZS;  Ning D;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Electronic-structure  Carrier Relaxation  Energy-levels  Spectroscopy