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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青; 王宝军; 陈娓兮 Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1511/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 电吸收调制器的光纤对准耦合方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙洋; 陈娓兮; 王圩 Adobe PDF(202Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1299/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮 Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1002/155  |  提交时间:2009/06/11 |
| 异质掩埋激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟 Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1435/246  |  提交时间:2011/08/31 |
| GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1748/217  |  提交时间:2011/08/30 |
| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明 Adobe PDF(364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1150/205  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明 Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1424/164  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1471/110  |  提交时间:2011/08/30 |