已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237090.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪洋; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1159/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵 Adobe PDF(239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113777.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟 Adobe PDF(559Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1360/247  |  提交时间:2011/08/31 |
| 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010564545.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘扬; 赵玲娟; 朱洪亮; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1339/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/190  |  提交时间:2011/08/31 |
| 异质掩埋激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟 Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1343/246  |  提交时间:2011/08/31 |
| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/219  |  提交时间:2012/09/09 |