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一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曹峻松;  秦大山;  曹国华;  曾一平;  李晋闵
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采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  秦大山;  曹国华;  曹俊松;  曾一平;  李晋闽
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共升华可控掺杂有机薄膜在有机电致发光器件中的应用和研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  曹峻松
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