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一种硅基并联MOS电容结构高速电光调制器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  屠晓光;  陈少武
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Tu XG;  Li SP;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Yu YD;  Yu, JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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Design considerations for a silicon-based p-i-n phase modulator in a double ridge waveguide with side isolating grooves 会议论文
2007 4TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Tokyo, JAPAN, SEP 19-21, 2007
作者:  Chen SW;  Xu DX;  Xu XJ;  Tu XG;  McKinnon R;  Barrios P;  Cheben P;  Janz SF;  Yu JZ;  Chen, SW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Photonics