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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [7]
作者
李成明 [4]
金鹏 [1]
叶小玲 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [7]
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中文 [7]
出处
ACTA PHYSI... [1]
资助项目
收录类别
SCI [1]
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SEMI OpenIR
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共7条,第1-7条
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发表日期:2007
语种:中文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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90
95
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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(924Kb)
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浏览/下载:1324/171
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提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(931Kb)
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收藏
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浏览/下载:1382/176
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提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
Adobe PDF(1107Kb)
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浏览/下载:1411/193
  |  
提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(1043Kb)
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浏览/下载:1183/158
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提交时间:2009/06/11
一种半导体晶片亚表面损伤层的测量方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(589Kb)
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浏览/下载:1133/168
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提交时间:2009/06/11
以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王元立
;
吴巨
;
金鹏
;
叶小玲
;
张春玲
;
黄秀颀
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(409Kb)
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浏览/下载:1618/181
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu LJ (Hu Liang-Jun)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Ye XL (Ye Xiao-Ling)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
Adobe PDF(225Kb)
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浏览/下载:1203/274
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提交时间:2010/03/29