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| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基 Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1191/207  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1111/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1237/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1129/148  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 Adobe PDF(1337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1153/128  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 纳米半导体技术 专著 北京:化学工业出版社, 2006 作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲 JPEG(7Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:4289/1018  |  提交时间:2009/09/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao L (Zhao Lei); Chen YH (Chen Yong-hai); Zuo YH (Zuo Yu-hua); Wang HN (Wang Hai-ning); Shi WH (Shi Wen-hua); Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1151/367  |  提交时间:2010/04/11 |