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氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯淦;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙建伟;  张胜利;  王幼林;  谢亮;  祝宁华
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