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氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯淦;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗谦;  杨谟华;  杜江锋;  梅丁蕾;  王良臣;  白云霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛;  严清峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨晓红;  梁琨;  韩勤;  牛智川;  杜云;  吴荣汉
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