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Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang Y;  Zheng HZ;  Yang FH;  Tan PH;  Li YX;  Tang Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang Y;  Zheng HZ;  Yang FH;  Tan PH;  Li CF;  Li YX;  Tang Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 10083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JJ;  Zhang SF;  Li YX;  Kong XJ;  Liu JJ,Hebei Normal Univ,Dept Phys,Shijiazhuang 050016,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu WG;  Chang K;  Jiang DS;  Li YX;  Zheng HZ;  Liu HC;  Wu WG,Univ Calif Los Angeles,Dept Elect Engn,Los Angeles,CA 90095 USA.
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