×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
文献类型
会议论文 [10]
发表日期
2001 [1]
2000 [2]
1999 [1]
1998 [6]
语种
英语 [10]
出处
SEMICONDUC... [3]
DISPLAY DE... [2]
CZECHOSLOV... [1]
IN-PLANE S... [1]
OPTICAL MA... [1]
OPTOELECTR... [1]
更多...
资助项目
收录类别
CPCI-S [10]
资助机构
SPIE.; COS... [3]
SPIE Int S... [2]
Chinese In... [1]
Inst Radio... [1]
Int Union ... [1]
SPIE, Taiw... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Small signal equivalent circuit model of vertical cavity surface emitting lasers
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Mao LH
;
Chen HD
;
Tang J
;
Liang K
;
Wu RB
;
Nian H
;
Guo WL
;
Wu XW
;
Mao LH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(140Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1502/397
  |  
提交时间:2010/10/29
Quantum-well Lasers
High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers
会议论文
IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:
Xiu ZT
;
Zhang JM
;
Ma XY
;
Yang GW
;
Shen GD
;
Chen LH
;
Xiu ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(175Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1808/403
  |  
提交时间:2010/10/29
Sqw Lasers
Ingaasp
Power
Fiber
Nm
High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen LH
;
Xu ZT
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Yang GW
;
Xu JY
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(271Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1300/283
  |  
提交时间:2010/11/15
High Power
Al-free Laser
Communication
Epitaxy
AlGaInP visible quantum well lasers for information technology
会议论文
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS, 49 (5), PRAGUE, CZECH REPUBLIC, JUN 15-17, 1998
作者:
Yu JZ
;
Chen LH
;
Ma XY
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(272Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1373/401
  |  
提交时间:2010/11/15
High-power Operation
Diodes
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(189Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1291/273
  |  
提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
High brightness AlGaInP orange light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Li YZ
;
Wang GH
;
Ma XY
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Chen LH
;
Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(125Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1440/359
  |  
提交时间:2010/10/29
High Brightness
Led
Mocvd
Algainp
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(177Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1483/352
  |  
提交时间:2010/10/29
Led
Coupled Distributed Bragg Reflector
Mocvd
Algainp
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(307Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1372/275
  |  
提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang LM
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhang XY
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(159Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1294/250
  |  
提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Dvd
Applications of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semiconductor photoelectronic devices
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Mao DS
;
Tan MQ
;
Chen LH
;
Mao DS Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(138Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1411/397
  |  
提交时间:2010/10/29
Ecr Cvd
Thin Film
Photoelectronic Device