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高性能硅基雪崩光电探测器的研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  庞雅青
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UVA GaN基激光器关键材料研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  王柏斌
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锗铅合金材料外延生长及探测器件研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  刘香全
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硅基锗锡材料的生长及探测器研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  赵越
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无权访问的条目 学位论文
作者:  李婧
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GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
硅基一维横向纳米材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  张大林
Adobe PDF(5527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:781/40  |  提交时间:2015/06/01
Si 基  一维纳米材料  Gesn 一维横向生长  横向转移