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10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘小宇;  马文全;  张艳华;  种明
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低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  林孟喆;  曹青;  颜庭静;  陈良惠
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不透射红外及可见光的GaN基紫外探测器面阵 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244146A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王晓勇;  种明;  苏艳梅
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