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长波长GaN基LED材料生长与性能研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  李文龙
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无权访问的条目 学位论文
作者:  李利安
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无权访问的条目 学位论文
作者:  李耀斌
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氮化物半导体材料与器件微观应力机理与调控研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  姚威振
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无权访问的条目 学位论文
作者:  赵武
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新型光电探测器的界面工程与组分工程 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  王烨
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无权访问的条目 学位论文
作者:  孟钰淋
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无权访问的条目 学位论文
作者:  李方政
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1.55 μm InP基大功率半导体DFB激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  柯青
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大功率  不对称波导  分布反馈激光器  
基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张云霄;  廖栽宜;  周帆;  赵玲娟;  王圩
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