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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型
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2007 [9]
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共9条,第1-9条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Chen Q (Chen Qin)
;
Hu YH (Hu Yong-Hong)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Du Y (Du Yun)
;
Fan ZC (Fan Zhong-Chao)
;
Chen, Q, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenqin@red.semi.ac.cn
;
huyh@red.serm.ac.cn
;
yzhuang@red.semi.ac.cn
;
duyun@red.semi.ac.cn
;
zcfan@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Sun, G (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Liu, X (Liu, Xingfang)
;
Zhao, Y (Zhao, Yongmei)
;
Li, J (Li, Jiaye)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Zhao, W (Zhao, Wanshun)
;
Wang, L (Wang, Liang)
;
Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1428/222
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提交时间:2010/03/29
Polycrystalline 3c-sic
Resonator
Doping
Silicon-carbide
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xue Chunlai
;
Shi Wenhua
;
Yao Fei
;
Cheng Buwen
;
WANG Hongjie
;
Yu Jinzhong
;
WANG Qiming
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dai Ruixuan
;
Chen Nuofu
;
Zhang Xingwang
;
Peng Changtao
;
Wu Jinliang
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
孙佳胤
;
陈静
;
王曦
;
王建峰
;
刘卫
;
朱建军
;
杨辉
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
申继伟
;
郭亨群
;
曾友华
;
吕蓬
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
余金中
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
曾友华
;
郭亨群
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
李慧
;
何国荣
;
渠红伟
;
石岩
;
种明
;
曹玉莲
;
陈良惠
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提交时间:2010/11/23