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中国科学院半导体研究所机构知识库
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2006 [3]
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发表日期:2006
文献类型:会议论文
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S
会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Li J
;
An JM
;
Wang HJ
;
Xia JL
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
2006 1st IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, Zhuhai, PEOPLES R CHINA, JAN 18-21, 2006
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gan Nanorods
Ga2o3/zno Films
Nitritding
Morphology
Chemical-vapor-deposition
Films
The study of high temperature annealing of a-SiC : H films
会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM III丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Aveiro, PORTUGAL, MAR 20-23, 2005
作者:
Zhang, S
;
Hu, Z
;
Raniero, L
;
Liao, X
;
Ferreira, I
;
Fortunato, E
;
Vilarinho, P
;
Perreira, L
;
Martins, R
;
Zhang, S, Univ Nova Lisboa, Fac Ciencias & Tecnol, Dept Ciencia Mat, Campus Caparica, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/03/29
Silicon Carbide
High Temperature Annealing
Thin Film
Silicon
Pecvd