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作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Pan SH;  Li YG;  Zhang CZ;  Wang ZG;  Jin, P, Nankai Univ, Dept Phys, Tianjin 300071, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhong Y;  Zhu XP;  Song GF;  Huang YD;  Chen LH;  Zhong, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuanzhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CY;  Sun BQ;  Jiang DS;  Wang JN;  Li CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(139Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/209  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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