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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王佐才; 吕雪芹 ; 金鹏 ; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liang ZM; Jin C; Jin P ; Wu J; Wang ZG; Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn
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| 提高自组织量子点光学性质温度稳定性的材料结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 金灿; 金鹏 ; 王占国
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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏 ; 徐波 ; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵超; 徐波 ; 陈涌海; 金鹏 ; 王占国
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| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波 ; 王占国; 金鹏 ; 赵昶; 张秀兰
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| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波 ; 王占国; 金鹏 ; 赵昶; 张秀兰
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏 ; 叶小玲 ; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao C; Chen YH; Xu B ; Jin P ; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波 ; 金鹏 ; 刘峰奇; 王占国
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