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自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CL;  Chen NF;  Liu LF;  Li YL;  Wu JL;  Chen, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chi, F;  Xiao, JL;  Li, SS;  Chi, F, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chifeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王立国;  肖景林;  李树深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郜定山;  李建光;  安俊明;  李健;  夏君磊;  王红杰;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郜定山;  李建光;  王红杰;  安俊明;  李健;  夏君磊;  胡雄伟
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