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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王勇刚;  马骁宇;  王翠鸾;  林涛;  王俊
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大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇;  林涛;  郑凯;  王勇刚
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高注入效率大功率８０８nm量子阱半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇;  郑凯;  林涛;  王勇刚
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